鄭有炓，中國科學(xué)院院士，半導體材料與器件物理專(zhuān)家。

主要從事新型半導體異質(zhì)結構材料與器件研究。在鍺硅、Ⅲ族氮化物異質(zhì)結構研究中，發(fā)展了生長(cháng)鍺硅、Ⅲ族氮化物異質(zhì)結構材料的光輻射加熱方法和新技術(shù)。基于鍺硅、Ⅲ族氮化物極化能帶工程，發(fā)展了多種新器件。提出并實(shí)現了鐵電體/氮化鎵、鐵磁體/半導體異質(zhì)結構新體系。發(fā)現鍺硅合金應變誘導有序化新結構，提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物異質(zhì)結構極化、二維電子氣及其相關(guān)性質(zhì)。觀(guān)測到碲化鎘/銻化銦異質(zhì)結構二維電子氣及占據子帶規律，開(kāi)拓II-VI/III-V族異質(zhì)體系二維電子氣研究領(lǐng)域。提出基于鍺硅技術(shù)實(shí)現二氧化硅/硅界面量子限制硅納米結構。